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G.Skill SO-DIMM 16 GB DDR3-1600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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G.Skill SO-DIMM 16 GB DDR3-1600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- EAN4711148591751
- Gewicht (kg) Dezimal0.125
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)11
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)28.0
- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)11.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,5 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale BezeichnungF3-1600C11D-16GSL
- Gewicht inkl. Verpackung125 g
- Gewicht in g125
- Gewicht125 g
- Hersteller-ArtikelnummerF3-1600C11D-16GSL
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- Spannung1,35 V
- Anschluss204-Pin
- TypSDRAM-DDR3
- Kapazität16.384 MB
- Artikelnr.285637147156
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33,66
Das G.Skill F3-1600C11D-16GSL ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL11). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.
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- MarkeQumox
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
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- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
- UnbufferedJA
- EAN4262360571576
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- Gesamtkapazität bei 2 Modulen16GB
- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
- FormfaktorSO-DIMM
- Anzahl der Module1
- Kapazität pro Modul8 GB
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
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- Anzahl der Pins204
- Geschwindigkeit1600 MHz
- CL11
- Rank2Rx8
- MaßeinheitEinheit
- HerstellergarantieUnbekannt
- LängeUnbekannt
- FormfaktorSO-DIMM
- HöheSTD
- BusgeschwindigkeitPC3-12800S
- BreiteUnbekannt
- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- MarkeSamsung
- ModellM471B1G73BH0-CK0
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität16 GB
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- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
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- HerstellernummerM471B1G73DB0YK0X2
- MarkeSamsung
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
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- Speicher-EigenschaftenDual Channel-fähig, unbuffered, unbuffered, non-ECC
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- ProduktartDDR3L
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- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
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- FormfaktorSO-DIMM
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- SpeicherbandbreitePC3-12800 (DDR3-1600)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
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- ProduktartDDR3 SDRAM
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- JEDEC NormPC3-12800S
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- MarkeMicron
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins260
- Gesamtkapazität16 GB
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- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)7
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)20.0
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- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,425 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,575 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt533 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale Bezeichnung997019
- Gewicht inkl. Verpackung39 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.039
- Gewicht in g39
- SerieEssentials
- Hersteller-Artikelnummer997019
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1066 (PC3-8500)
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- RGBnein
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- MPNM471B1G73BH0-CK0
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- Gesamtkapazität8 GB
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